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m88手机版网址:氮化镓等宽带隙化合物为代表的第三代半导体应用技术的进步

时间:2021/4/15 8:08:47  作者:  来源:  浏览:37  评论:0
内容摘要:就像有些人所说的“工业皇冠上的钻石”,在芯片制造中,如果没有材料,技术充其量只是一个PPT,不能作为一个产品来实现。随着以碳化硅、氮化镓等宽带隙化合物为代表的第三代半导体应用技术的进步,5G、毫米波通信、新能源汽车、光伏发电、航空航天等战略性新兴产业的关键核心器件。业绩将有质的提高。随着氮化镓材料进入电源管理应用的标志...
就像有些人所说的“工业皇冠上的钻石”,在芯片制造中,如果没有材料,技术充其量只是一个PPT,不能作为一个产品来实现。

随着以碳化硅、氮化镓等宽带隙化合物为代表的第三代半导体应用技术的进步,5G、毫米波通信、新能源汽车、光伏发电、航空航天等战略性新兴产业的关键核心器件。业绩将有质的提高。

随着氮化镓材料进入电源管理应用的标志,第三代半导体的“超级插座”已经到来。

“十四为国民经济和社会发展五年计划的中华人民共和国,2035年长期目标的轮廓”包括促进了“发展的差距等半导体碳化硅和氮化镓”在“技术前沿领域的研究”部分。

复合半导体制造业迎来了新的面貌

在第一代、第二代半导体材料的物理极限接近之际,有望突破传统半导体技术瓶颈的第三代半导体材料成为行业发展的宠儿。

事实上,国内半导体材料之所以被划分为“几代”,在一定程度上与半导体材料大规模应用所带来的三次工业革命有关。

以硅(Si)为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管,促进了以集成电路为核心的微电子工业的快速发展。

第二代半导体材料主要有砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)等。磷化铟半导体激光器是光通信系统的关键部件,高速砷化镓器件开辟了光纤和移动通信的新产业。

以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,有效地推动了半导体照明、显示、电动汽车等行业的发展。

从半导体材料的三个重要参数来看,第三代半导体材料具有电子迁移率(低压条件下的高频工作性能)、饱和漂移率(高压条件下的高频工作性能)、带隙(器件的耐压性能、最高工作温度和光学性能)三个指标均优于硅器件。

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